Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TSM120NA03CR RLG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM120NA03CR RLG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 39A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
RFQ Online
12894492
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM120NA03CR RLG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
562 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PDFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
TSM120
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TSM120NA03CR
Informații suplimentare
Alte nume
TSM120NA03CR RLGTR-DG
TSM120NA03CRRLGCT
TSM120NA03CRRLGDKR
TSM120NA03CR RLGDKR-DG
TSM120NA03CR RLGDKR
TSM120NA03CR RLGTR
TSM120NA03CR RLGCT-DG
TSM120NA03CRRLGTR
TSM120NA03CR RLGCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSC120N03MSGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
28843
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC120N03MSGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BSZ130N03MSGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
16290
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSZ130N03MSGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP2075UVT-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
TSM60N380CH C5G
MOSFET N-CH 600V 11A TO251
TSM60N900CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
TSM2303CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23